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2023-03-29 22:11:29 浏览次数:次
斯坦福大学的最新研究结果显示,在0.5THz强度的电脉冲情况下,仅需几皮秒(1秒等于1012皮秒)相变内存就能产生用于存储数据的结晶纤维,尽管其他大部分依旧呈无定形状态,但基于以上实验结果,可以认为相变内存的相变过程基本在皮秒级别,而现在的DRAM(1秒等于109皮秒)内存是用纳秒来衡量的,如此一来便是1000倍的差距(1纳秒等于103皮秒),也就是说相变内存的存储速度理论上能够达到DRAM内存的1000倍,同时能耗较低且断电后数据不会丢失。真正的力量是不张扬的。
“老头子,都怪你。
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